--行业一流的IP和多个FinFET / 2.5D产品项目的启动及快速发展的步伐

　　加利福尼亚州圣何塞, Feb. 14, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- 作为领先的FinFET ASIC供应商以及提供市场专用IP平台和先进的2.5D封装解决方案的eSilicon，今天宣布其部署了该公司在一级FinFET ASIC市场中的增长以及实现了服务于高带宽网络，高性能计算，AI和5G基础设施的多个里程碑。

　　为了能够服务于这些市场，关键点在于包括在先进工艺节点中验证的尖端，高性能，差异化半导体IP，成功设计和制造复杂的FinFET级ASIC以及2.5D的专业封装设计和制造，其中还包括HBM内存堆栈的集成。

　　去年秋天，eSilicon宣布推出了用于AI ASIC设计的neuASIC™ IP平台。创新的IP平台包括HBM2 PHY和AI mega / giga单元，包括卷积引擎和加速器构建器软件，均采用7nm技术验证。在同一时间段内，该公司宣布其56G长程 7nm DSP SerDes已经被许可认证。

　　2019年1月，eSilicon宣布推出一种新的高性能测试系统，以方便客户验证其SerDes IP。在最近的DesignCon展会上，eSilicon展示了新的测试系统及其SerDes以56Gbps的速度驱动5米长的铜缆，错误率极低。该SerDes IP正在进行多项客户合作，客户正在验证其一流的功能并给予反馈。同时在1月，eSilicon宣布成立一个技术顾问委员会，为其人工智能计划提供支持，由三位来自学术界和工业界的著名技术人员组成。

　　该公司正在积极进行两个项目的批量生产均运用FinFET设计及其HBM2 PHY的2.5D封装技术。所有性能参数都得到满足，两种设计都有望在今年实现全面生产。其中一个设计是有史以来eSilicon设计的最大的ASIC 芯片，它同时也是半导体芯片厂商生产制造的最大尺寸芯片。

　　“我们的客户需要一流的IP，先进的ASIC和封装设计专业技术知识以及丰富的资源和广泛的技术深度，以促进最终集成电路芯片的生产，”eSilicon战略和产品副总裁Hugh Durdan说。 “我很高兴地说，我们正在给客户提供全方位的服务。最近，一级客户报告说他们通常对所有IP都持批评态度，然而，在对我们的SerDes进行详细评估后，他们找不到任何瑕疵。“

　　eSilicon将于2月18日在旧金山的ISSCC上展示“运用7nm FinFET的Sub-250mW 1至56Gb/s连续范围PAM-4 42.5dB IL ADC / DAC的收发器”。当天该公司也将在ISSCC现场展示示范其SerDes的 运用。您还可以在3月5日至7日在圣地亚哥的OFC(5416号展台)找到eSilicon，该公司将展示两个高速SerDes和一个HBM2 PHY的运用。

　　您可以在此处了解有关eSilicon的FinFET ASIC功能，此处的高级网络IP平台或其neuASIC AI平台的更多信息。如需进一步调查，请直接或通过sales@esilicon.com联系您的eSilicon销售代表。

　　关于eSilicon

　　eSilicon提供复杂的FinFET ASIC设计，市场特定的IP平台和先进的2.5D封装解决方案。我们经过ASIC验证的差异化IP包括了高度可配置的7nm 56G / 112G SerDes以及网络优化的16/14 / 7nm FinFET IP平台，并包含HBM2 PHY，TCAM以及专用存储器编译器和I / O库。我们的neuASIC™平台提供AI专用IP和模块化设计方法，以创建适应性强，高效的AI ASIC芯片。 eSilicon服务于高带宽网络，高性能计算，AI和5G基础设施市场。 www.esilicon.com

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　　协作精神，与众不同，共同收获 ™

　　eSilicon是注册商标，eSilicon标识，neuASIC和“协作精神，与众不同，共同收获“是eSilicon Corporation的商标。其他商标均为其各自所有者的财产。

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