桑尼维尔市，加利福尼亚州, Dec. 19, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- SANAN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD. (Sanan IC) ，一家拥有先进化合物半导体技术平台的晶圆制造专营公司，今天宣布已完成了商业版本的6英寸碳化硅(SiC)晶圆制造技术的全部工艺鉴定试验，并将其加入到代工服务组合中。Sanan IC致力于提供先进的材料制造能力，以服务全球市场，公司目前生产的碳化硅晶圆，是用于电力电子中电路设计的最成熟的宽禁带(WBG)半导体。利用其III-V族化合物半导体制造供应链保证能力，即砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和磷化铟(InP)，公司为6英寸碳化硅晶圆加工服务提供了专用能力。

　　“我们很高兴公司的晶圆代工服务扩展到包括碳化硅的现有规模，并使其在全球宽禁带半导体市场实现商业应用”，Sanan IC的首席执行官Raymond Cai说道，“由于具有更高的效率、开关频率和温度的特点，我们注意到在利用碳化硅取代硅解决方案服务高速增长的电力电子市场方面存在巨大商机。汽车、大数据、可再生清洁能源和电力行业的巨大增长，为我们向全球市场提供碳化硅工艺技术服务创造了机遇。凭借我们先进的制造工厂、稳定的供应链和全球资深行业团队，Sanan IC已经成为了理想的代工伙伴。”

　　Sanan IC的碳化硅工艺技术可以为650V、1200V和更高额定肖特基势垒二极管(SBD)提供器件结构，不久后会推出针对900V、1200V和更高额定肖特基势垒二极管的碳化硅MOS场效应晶体管工艺(SiC MOSFETs)。由于具有更高的性能，SiC SBDs和SiC MOSFETs正在用于从650V开始的能量转换应用。考虑到相比于硅，碳化硅拥有更高的效率、功率密度、开关频率、温度、击穿强度、以及更紧凑和更轻的系统设计的优良性能，一些领域已经开始应用这项技术。

　　碳化硅技术的应用已加速进入商业和工业市场，比如太阳能发电厂、工业马达驱动器、企业服务器和蜂窝基站电源的功率因数校正(PFC)。在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中，碳化硅被广泛应用于车载充电器(OBC)、动力传动系统逆变器和DC/DC变流器。根据Yole集团旗下在科技市场调研公司中处于领先地位的Yole Développement(Yole)的预测，到2023年，碳化硅电力半导体器件市场的价值将超过15亿美元，其2017年到2023年的复合年增长率(CAGR)将达到31%。Sanan IC有望满足客户对质量，体积，坡道和可靠性的要求。

　　资料来源：

　　1Power SiC 2018: Materials, Devices, and Applications Report, Yole Développement (Yole), 2018年7月

　　关于Sanan IC

　　Sanan Integrated Circuit Co., Ltd. (Sanan IC)是中国第一家6英寸化合物半导体晶圆制造公司，服务于全球微电子及光电子市场。该公司成立于2014年，位于中国福建省厦门市，是Sanan Optoelectronics Co., Ltd. (SSE: 600703)名下的子公司。该公司凭借先进的III-V族化合物半导体生产设备，主营业务为开发和提供砷化镓、氮化镓、碳化硅和磷化铟代工服务。Sanan IC已得到ISO9001国际质量标准认证和ISO14001环境管理标准认证，并通过其先进的工艺技术平台为全球无线射频、毫米波、滤波器、电力电子领域和光纤通讯市场提供支持。Sanan IC: 致力于推动化合物半导体创新。www.sanan-ic.com/en。

　　媒体联系方式

　　Raymond Biagan

　　ray@sanan-ic.com